Produktdetails:
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Name: | 5050 Led-Chip | Macht: | 0.5w/0.3w/0.2w |
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WENN: | 30 bis 60 mA | Dominierende Wellenlänge: | 585-595nm/650-660nm/410-420nm/840-850nm |
Optische Energie: | Einheitliche Prüfungen | Vollgröße: | 5.0*5.0mm |
Hervorheben: | 660 nm SMD Led Chip,5050 IR SMD Led Chip,585 nm SMD Led Chip |
Produktparameter
Infrarot | Energie | Dominante Wellenlänge | Optische Leistung | Wenn | VF | Schaltkreis | Vollgröße | Beleuchtungsbereich | Blickwinkel | Linsen | Substrat | CHIPS | Gewährleistung |
LN-SMD5050UYFIR-PF0.1-ES10 | 0.5w | 840 bis 850 nm | 30-50 mW | 30 bis 60 mA | 1.6-2.0V | 1S1P*4 | 5.0*5.0MM | R4,5MM | 120° | SILICONLINSE | PCT | Vertikal (EPILED oder EPISTAR) |
2 Jahre |
410 bis 420 nm | 80 bis 100 mW | 3.0 bis 3,4 V | |||||||||||
650 bis 660 nm | 40 bis 60 mW | 2.0-2.4V | |||||||||||
585 bis 595 nm | 40 bis 60 mW | 2.0-2.4V | |||||||||||
LN-SMD5050RGYIR-PF0.1-ES10 | 0.5w | 620 bis 630 nm | 40 bis 60 mW | 2.0-2.4V | |||||||||
520 bis 530 nm | 60 bis 80 mW | 3.0 bis 3,4 V | |||||||||||
585 bis 595 nm | 40 bis 60 mW | 2.0-2.4V | |||||||||||
840 bis 850 nm | 30-50 mW | 1.6-2.0V | |||||||||||
LN-SMD5050PIR2-PT0.1-EP10 | 0.3w | 840 bis 850 nm | 30-50 mW | 2.0-2.4V | 1S1P*3 | ||||||||
620 bis 630 nm | 40 bis 60 mW | 2.0-2.4V | |||||||||||
840 bis 850 nm | 30-50 mW | 1.6-2.0V | |||||||||||
LN-SMD5050IR2-PS005-EP10 | 0.2w | 840 bis 850 nm | 40 bis 60 mW | 1.6-2.0V | 1S1P*2 | ||||||||
620 bis 630 nm | 40 bis 60 mW | 2.0-2.4V | |||||||||||
5050 SMD LED CHIP Design Vorteil
1Lange Lebensdauer
2Niedrige Wärmebeständigkeit
3Hohe Effizienz 20%+
4"In der organischen Verkapselung"
5,Höhe Dichte und Intensität
6,Superleistung für IR-Serie
7Schmale Spitzenwellenlänge
Anwendung von IR-LED-Chips
1"Rotes Licht
2"Wachsen Licht"
3Kameras.
43D-Druck
5"Virtuelle Realität
6,therapeutisches Licht
7"Maschinensicht"
8Finger-Vene Biometrie
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